可控硅回收，PLC及工控回收

本文目录一览

1，PLC及工控回收
2，回收硅片佳华科技
3，可控硅是干嘛的
4，三相或单相可控硅整流电路吸收回路
5，有什么方法可以吸收可控硅过电压
6，可控硅的工作原理

1，PLC及工控回收

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工控板一般只有di和do的功能，比较简单，不能代替plc的

都是什么价位啊。

PLC及工控回收

2，回收硅片佳华科技

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3，可控硅是干嘛的

可控硅，不但可以调压。在交流电路中，几个可控硅组成的半桥或者全桥电路可以实现整流，即交流变直流（触发角不同，获得直流幅值也不同），在一定条件下，调节触发角，接直流电源，可实现逆变（直流变交流）。

可控硅一般是大功率调流，调压，整流的元器件。也是无触点开关器件。你可参考电工手册的解释。

可控硅是干嘛的

4，三相或单相可控硅整流电路吸收回路

1、首先应该考虑生产车间近来是否加了什么大功率或者高频率设备，引起电网谐波增加而击穿可控硅2、近来是否更改机器或者外面线路3、因为你原来正常，因需要考虑直流电路负载是否有变动，注意电流有无变化4、另外最大原因可能是用了两年后，可控硅水冷件或者管道垢，引起水流量太小，过热而击穿，如果频繁过流后击穿，就基本是这个原因了

我想这个考虑的因素很多：进攻参考可控硅的基本参数你要清楚首先是你设计的整流电路的功率额定电压电流你要清楚！然后选择合适的管子！1、管子的开关频率参数一般是符合工频就可以。2、管子的最大耐压值包括反向击穿电压等。3、管子允许的最大正向电流参数详细你的看看英文的数据手册才行！任何一个管子都有额定参数的限制

5，有什么方法可以吸收可控硅过电压

加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。为抑制dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图：

可以用两个稳压二极管反串联，再与一个电阻串联，然后再并联在二极管两端，图是和上面的一样，就是把电容换成两个反串联的稳压二极管，而稳压二极管的稳压值可以根据二极管的反向击穿电压的最大允许值来确定。我想补充的是：淡如水，你可能忽略了一个问题，如果该二极管两端加的是交流电，那么你的RC串联支路不是也会流过电流吗，这样不是破坏了原电路的结构了吗，二极管的反向截止功能不是被破坏了吗，所以觉得你的设计有问题，至少要让保护电路与原电路之间实现在正常工作时的电隔离，而在过电压发生时才能让保护电路动作，而用两个反并联的稳压二极管可以实现这个功能，电阻是为了限流

6，可控硅的工作原理

可控硅是把交流电转换为大小可以调节的直流的无触点的开关,广泛运用于电力切换领域(高速切换=每秒种上万次),普通可控硅因为无触点,噪音低,无火花,安全耐用,常用在电机调速,灯光调光领域.鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向电阻大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极反向击穿。若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种，都是三个电极。单向可控硅有阴极（K）、阳极（A）、控制极（G）。双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。 1、单、双向可控硅的判别：先任测两个极，若正、反测指针均不动（R×1挡），可能是A、K或G、A极（对单向可控硅）也可能是T2、T1或T2、G极（对双向可控硅）。若其中有一次测量指示为几十至几百欧，则必为单向可控硅。且红笔所接为K极，黑笔接的为G极，剩下即为A极。若正、反向测批示均为几十至几百欧，则必为双向可控硅。再将旋钮拨至R×1或R×10挡复测，其中必有一次阻值稍大，则稍大的一次红笔接的为G极，黑笔所接为T1极，余下是T2极。 2、性能的差别：将旋钮拨至R×1挡，对于1~6A单向可控硅，红笔接K极，黑笔同时接通G、A极，在保持黑笔不脱离A极状态下断开G极，指针应指示几十欧至一百欧，此时可控硅已被触发，且触发电压低（或触发电流小）。然后瞬时断开A极再接通，指针应退回∞位置，则表明可控硅良好。对于1~6A双向可控硅，红笔接T1极，黑笔同时接G、T2极，在保证黑笔不脱离T2极的前提下断开G极，指针应指示为几十至一百多欧（视可控硅电流大小、厂家不同而异）。然后将两笔对调，重复上述步骤测一次，指针指示还要比上一次稍大十几至几十欧，则表明可控硅良好，且触发电压（或电流）小。若保持接通A极或T2极时断开G极，指针立即退回∞位置，则说明可控硅触发电流太大或损坏。可按图2方法进一步测量，对于单向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K灯仍不息灭，否则说明可控硅损坏。对于双向可控硅，闭合开关K，灯应发亮，断开K，灯应不息灭。然后将电池反接，重复上述步骤，均应是同一结果，才说明是好的。否则说明该器件已损坏.